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本文標題："集成電路的不同封裝結構檢測立體顯微鏡"
新聞來源：未知 發布時間：2013-11-20 0:12:35 本站主頁地址：http://www.pzfczx.com
集成電路的不同封裝結構檢測立體顯微鏡
紅外線熱顯像儀實測與CFD 軟件模擬五種不同封裝結構高功率LED 元件的接
面溫度結果顯示消耗功率為9.92W (350mA)時，A, B, C, D 及E Type 試樣的接面溫度
分別是84.32℃, 82.87℃, 81.91℃, 81.36℃與81.2????0℃，擺放間距最小的A Type
與最大的E Type，兩者間的接面溫度相差3.12℃，顯示擺放間距小的A Type 無法快速地將
LED 晶片所產生的熱傳至空氣中，因此具有最高的接面溫度。當 GaN-base 晶片間距
從0.5 mm 增加至2.0 mm 時(間距相差4 倍)，晶片所產生的熱能可以有效地的傳導出
來。透過CFD 軟件模擬得知，更改散熱基板的材質、增加散熱鰭片的厚度(表面積)
或是增大LED 晶片尺寸皆能有效地降低高功率LED 元件的接面溫度以及熱阻
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