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高純度鑄鐵的結晶以及在真空熔煉的鐵一碳合金中結晶,與純金屬定向凝固研究結論
一致,正常石墨的生長方向也是最密排晶面的法線方向。
B·朗格爾等人采用高純電解鐵
化學成分為:
(C)為0.001%,w(P)為0.003%,。(S)為0.005%,。(Cu)為0.006%,Mn和Si微量)引人具有確定晶向的熱解石墨,
在高純石墨柑竭中,氫氣保護條件下熔化并增碳,
來研究石墨的生長過程。結果顯示:在基面上,而且在棱面上生長的石墨層都很致密,
在熱解石墨基面上生長的石墨層厚度約為棱面上的2倍,
偏光
顯微鏡檢查的結果表明,碳不是按熱解石墨的取向結晶的。在此試驗條件下,
石墨的生長規律表明,石墨在基面上的生長速度優于在棱面上的生長速度;
并且隨試驗溫度下降,即隨鐵液中碳過飽和度增加,石墨層厚度隨之增加;
同時,基面上與棱面上石墨生長層的厚度比值也隨之增加。
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