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本文標題："覆層石墨顆粒密度制造質量檢測顯微鏡"
新聞來源：未知 發布時間：2018-2-27 23:18:23 本站主頁地址：http://www.pzfczx.com
覆層石墨顆粒密度制造質量檢測顯微鏡
半導體覆層失效故障的根本原因是制造質量不良，既包括施加
覆層的生產過程，也包括定期進行的確保覆層電阻值適宜的試驗過
程。人們普遍認為，當局部覆層表面電阻值過高時，上述過程就開
始了。這可能是因為該局部的石墨顆粒密度太低。如果局部覆層阻
值較高的線圈正好處于相出線端，電容電流將從銅導體開始，穿過
主絕緣。經半導體覆層再到鐵心。由于半導體覆層在線圈頂部和底
部的窄面(即線圈截面的窄面)以及在通風道部位不能直接接觸到鐵
心，一部分電容電流必定還要并聯到線棒或線圈的表面，如果覆層
電阻值較高，沿側面流動的電流會產生些許12R損耗，使覆層這些
部位的局部溫度升高。該溫升加上線圈運行溫度，會導致半導體覆
層氧化，又會進一步使其電阻值增加，從而使問題更趨惡化。另外
，在局部半導體覆層電阻值無窮大的部位(即石墨顆粒密度低于具
有導電性的臨界值)，即使是不到1 cm直徑的小斑點，也可能發生P
D，
這種問題尤其可能發生在PWM電壓源逆變器饋電的定子上㈧J。
因為逆變器中開關頻率典型值是l kHz或更高，穿過半導體覆層流
動的電容電流將比50／60Hz正弦電壓情況下大20倍以上。所增加的
穿過覆層的電流也就以二次方關系增加了發熱效應，于是急劇地增
加了半導體覆層的劣化速度。
這個問題的另一種情況是，即使半導體覆層的電阻值恒定并且
合格(典型值是表面電阻每平方500～500011)，在某些制造過程中
，恰好在半導體覆層下面，位于主絕緣和半導體覆層之間，可能存
在微小氣隙。若該線圈處于相出線端，這些空隙中會產生局部放電
，而PD會腐蝕半導體覆層，增加其電阻，最終會發展到上述的覆層
劣化階段。
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