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本文標題："固態層覆蓋摻雜物截面分析便攜式顯微鏡"
新聞來源：未知 發布時間：2017-6-14 1:52:37 本站主頁地址：http://www.pzfczx.com
固態層覆蓋摻雜物截面分析便攜式顯微鏡
在擴散過程中，規則的晶格原子被熱動力平衡過程中的摻雜原
子所代替。這樣對改變半導體的電子性能有作用。進行摻雜的兩個
最重要的方法是恒定表面濃度擴散和恒定總摻雜物擴散。
在“恒定的表面濃度的擴散”方式下，摻雜物由“不可耗盡的
”氣源供給，因此晶體外表面摻雜物的濃度，在整個擴散過程中保
持恒定。在“恒定總摻雜物擴散”方式下，晶體表面開始由摻雜物
的固態層所覆蓋。可是摻雜物的供應是有限的，因為隨著擴散的進
行摻雜物最后會耗盡。
在“恒定表面濃度擴散”方式下，摻雜物原子由氣相供應，晶
體表面的摻雜物濃度可以調節，在給定溫度下，特殊摻雜物的濃度
與其在硅中的溶解度相對應。
(a)恒定表面濃度的擴散；(b)恒定總摻雜物的擴散；(c)離子
注入
如果在硅片表面上摻雜層的厚度為dx，摻雜層的面積為A，由
于總摻雜物濃度是恒定的，并且在給定時間單元內可以擴散入固相
的粒子數目
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