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場發射性能
場發射是指電子自固體表面逃逸到真空的量子力學隧穿現象。在外
加電場作用下,固體的表面勢壘被壓低減薄,使電子有一定幾率穿透這
一勢壘至真空。從固體中發射電子分為熱電子發射、光電子發射和次級
電子發射三類,這些均需要給電子提供大于逸出功的額外能量才能發生
。場電子發射的特點是無需給電子提供額外能量就能發射出來。典型的
場發射應用實例是冷陰極,冷陰極具有電子能量分布窄、耗能低、穩定
性高等特點,被廣泛用于顯示器電子槍、掃描電鏡電子槍、微波功率放
大器等領域。作為理想的場發射體材料應滿足以下幾個要求:①發射體
材料易于發射電子;②發射體材料是高熔點材料,因為發射體工作時通
過的電流密度很大,容易使局部溫度過高;③發射體材料化學穩定性好
,因為發射體工作時局部溫度較高,易與器件內殘余氣體反應,為了保
證發射體正常工作,必須要求選用化學穩定性好的高熔點材料;④發射
體材料具有一定的耐離子轟擊能力,因為發射體工作時器件內殘余氣體
電離產生正離子,并與發射體陰極轟擊碰撞,降低發射體使用壽命。
目前,場發射體材料的制造工藝通常以蒸發和刻蝕等為主。根據使
用條件不同,將其制作成單個發射體或發射體陣列,并使其端部具有微
尖結構。碳納米管等一維納米材料本身就具備場發射應用所需的尺寸要
求,綜合考慮熱導率、化學穩定性及機械強度等因素,碳納米管等一維
納米材料有望部分或全部取代目前的硅材料成為新一代場發射材料。
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