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在掃描電鏡的正常觀察條件下,其掃描電子像(包括二次電
子像,背反射電子像或吸收電子像)所顯示的襯度效應主要有三
種,即表面形貌襯度,原子序數襯度和表面電場和磁場所貢獻的
襯度。但是,在特殊的光路條件下(例如在滿足觀察電子通道效
應的電子束的電子光學條件下),則所獲得的掃描電子像,除了能
顯示上述襯度效應外,還包括有反映晶體位向和晶體缺陷的襯
度,這種反映晶體位向和晶體缺陷的襯度,稱為結晶學襯度。
理論分析表明,結晶學襯度是來源于電子通道效應。在第二
章中曾經指出,當高能電子進入到晶體試樣時,由于入射電子與
晶格中原子相互作用,將會發生散射過程。但是,入射電子被晶
格中原子的散射幾率是同電子束的入射方向有關,在入射角小于
衍射角的情況下,被背反射的幾率較大;反之,在入射角大于衍
射角的情況下,被背散射的幾率較小,這種現象稱為電子通道效
應。在滿足通道電子束的觀察條件下,如果電子束的入射方向的
變化范圍比較大
對試樣要求
因為電子通道效應是發生在接近試樣的表面,故試樣表面的
清潔和不受機械損傷是十分重要的。經驗表明,只有在晶體的外
延層和晶體生長的表面,或經過仔細化學拋光和電解拋光的試樣
表面,且表面清潔無沾污,才容易觀察到結晶學襯度。如果試樣
表面存在如下情況:(o)表面被污染;(b)表面受機械加工;
(c)表面是非晶態; (d)表面晶粒度過于細小,使能完
全滿足上述的電子光學條件,也觀察不到結晶學襯度。
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