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本文標題："利用掃描式電子顯微鏡(SEM)量測樣品表面"
新聞來源：未知 發布時間：2013-6-18 1:27:29 本站主頁地址：http://www.pzfczx.com
利用掃描式電子顯微鏡(SEM)量測PMMA
利用掃描式電子顯微鏡(SEM)量測PMMA 受EUV 光照射后
的樣品表面圖貌，并觀測到PMMA 隨著曝光劑量的相變化，其相變化表
面形貌的差異可能是因為釋氣物質無法釋出所致，此一現象為剝蝕現象
導致薄膜樣品膜厚的變異
典型的光阻涂布材料中分別為上層的光阻層及底部抗反射層(BARC,
Bottom Anti-Reflection Coating)。在 DUV 的微影制程當中，底部抗反射
層的主要功能是用來消除駐波效應(Standing Wave Effect)、薄膜干涉效應
(Thin Film Interference Effect)及凹缺效應(Notching Effect)，以增進光阻成
像能力。
但因物質在EUV 光波段均具有強烈吸收的因素，意即光照射
樣品后因物質強烈吸收因素使得光的反射效應可忽略，底部抗反射層已
不具原來的抗反射效應性質；故在EUV 區段中，涂布底部抗反射層其主
要功能是增加光阻附著力、避免因底層下方污染擴散至光阻所產生的光
阻毒化現象、增進平坦化之輔助成像功能，故在EUV 微影光阻底下輔助
成像的材料又稱為底層材料(UL, Underlayer material)
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