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本文標題："積體電路IC制程檢測用工業顯微鏡廠家"
新聞來源：未知 發布時間：2013-5-2 16:13:58 本站主頁地址：http://www.pzfczx.com
積體電路IC制程檢測用工業顯微鏡廠家
研究不同于傳統的積體電路 IC制程及一般微機電系統制程技術，而以影像式微陽極導引電鍍法為基礎，
結合奈米氧化鋅半導體電鍍技術，創造出表面披覆奈米氧化鋅之銅微柱複合元件。
如何利用電化學法在銅微柱表面披覆氧化鋅奈米結構物，并依據參數之控制，析鍍出各種形貌不同之奈米柱結構。
金屬銅微柱依制程之不同，可分為間歇式微電鍍與連續式之影像導引微電鍍，本研究選擇以后者作為銅微柱之制程，
主要理由為連續式導引微電鍍可制作出品質精細、表面平滑與結構均勻之銅微柱，
可允許氧化鋅以電化學法披覆于表面，間歇式微電鍍之優點為速度較快，但其結構粗糙之缺點使氧化鋅不易均勻成長。
氧化鋅之電化學制程參數可分為沉積電位、時間、與前驅物雙氧水濃度作為形貌與結構之探討。
陰極動態極化掃描顯示在電位-0.9 V(vs. Ag/AgCl)為極限電流出現，
經由掃描式電子顯微鏡觀察確實在此電位時沉積得到較佳之表面形貌。沉積時間為10 分鐘時得到第一層之氧化鋅柱，
當時間增加為20分鐘得到互相堆疊且無定向成長之氧化鋅柱狀結構。
前驅物雙氧水濃度為5 mM時氧化鋅成米粒狀之形貌，當濃度提升至20 mM時為六方堆積之氧化鋅柱，
由XRD分析證實不同濃度之產物皆為氧化鋅之纖鋅礦結構，但由化學分析電子能譜儀(ESCA)分析在較高濃度雙氧水
所得到之奈米柱含有較多之Zn(OH)2存在，顯示前驅物濃度為影響氧化鋅形貌之關鍵。
摻錫之氧化鋅經微區元素分析(EDS)與化學分析電子能譜證實錫原子由電化學法摻雜，
并經由XRD分析顯示并無其他不純物如金屬錫及二氧化錫存在，顯示電化學沉積法摻雜亦為一可行之辦法
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