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本文標題："TEM電子顯微鏡應用于金屬晶體結構微結構分析"
新聞來源：未知 發布時間：2013-11-6 17:32:13 本站主頁地址：http://www.pzfczx.com
TEM電子顯微鏡應用于金屬晶體結構微結構分析
微結構分析(Microstructure analysis)- TEM
由前面晶體結構以及磁性質的分析，發現最佳的(001)優選方位及垂直磁異性是
發生在退火溫度 800℃系列樣品中，膜厚 30 nm 的 FePt 薄膜；另外發現在這個退火
系列中有一臨界膜厚，就是在膜厚 40 nm 以下，即小于 40 nm 跟大于 40 nm 時，FePt
薄膜在同一退火溫度下，它竟然會產生結晶方位上及磁性質上完全不一樣的不連續
變化，此一臨界厚度，就是我們想要研究的對象，它非常有趣，也從來沒被報導過，
所以挑選這個退火系列膜厚20、30、40及50 nm的樣品，進行穿透式電子顯微鏡(TEM)的研究。
膜厚 20 nm 樣品的 TEM 影像圖，它的晶粒尺寸大小很不均勻，大
的晶粒尺寸超過 100 nm(約達 200 nm)，小的晶粒尺寸低于 20 nm，樣品膜厚增至 30nm 時，
晶粒尺寸變得很大，最大的超過 1μm，在影像圖中發現很多線條，
推測可能是平面缺陷，也可能是一些邊界或結構上的缺陷，很難斷定哪一個地
方是晶界，只清楚的看到它的晶粒很大，這點可從后面的磁區結構的分析獲得印證。
到了膜厚 40 nm 時，檢視圖中的晶粒尺寸，發現它變得很小，
甚至比膜厚 20 nm 樣品晶粒的尺寸還小，這點很特別，事實上，仔細觀察膜厚 40 nm 的
TEM 影像圖，發現到它的晶粒橫向尺寸快要小于縱向尺寸。
膜厚增至 50 nm 時，TEM 影像圖，發現晶粒尺寸突然變得
很平均，即晶粒的縱向尺寸大約等于其橫向尺寸，約 50 nm
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