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AFM是可用來量測微、奈米級微結構,但是當CD尺寸小于100 nm時,AFM探針之尖端與外形也是在這個尺度,
量測時,因AFM探針外形與奈米結構會有幾何外形干涉問題,無法確切量測出奈米結構形貌,造成量測尺寸的誤判。
量測時,以探針分別量測物體兩側形貌尺寸,兩側形貌之間距,減去已知探針之輪廓,則可估算出真實試片之輪廓形狀或線寬值,
本研究提出一種創新的半導體奈米結構量測方法,采用雙傾斜之AFM掃描量測,將兩次傾斜后之掃描影像,以影像疊合技術,
配合探針尖端尺寸修正,即可克服原本被干涉而無法量測區域轉變為可量測到的區域,以正確地量測出半導體CD尺寸,
應用于線寬量測的估算量測不確定度為3.18 nm。
100 nm以下線寬量測方法
量測100 nm以下線寬時,使用CNT(奈米探管)-AFM單向掃描二次方法,以AFM量測試片后,
得到掃描圖像,將試片旋轉180度,同樣再掃描一次后,以影像疊合技術將二次掃描結果組合,
便可得到待測件真實輪廓。此方法會碰到的問題為奈米
工件非常細微,經旋轉180度后,很難再找到同樣位置進行量測,
會造影像疊合技術之組合誤差。
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