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比較四片具有不同結構的氮化銦鎵/氮化鎵多
重量子井樣品的奈米結構及光學特性。其中三個樣品在成長與控制樣品相同的高濃度量子井結構之前,
先成長一低濃度之量子井,同時,低濃度量子井上分別成長不同的厚度之氮化鎵阻障層。
我們利用穿透式電子顯微術及應力分布分析軟體分析這四片樣本的奈米結構,由穿透式電子顯微術所得之影像,
我們可觀察到量子井間不同程度的銦原子聚集現象以及成分不均勻的變化。經由應力分佈分析計算其各個量子井的平均濃度,
在與控制樣品的結果比較之下,我們發現愈接近低濃度量子井的高濃度量子井具有越高的銦含量。
這樣的銦濃度增加現象應歸因于低濃度量子井的應力對于上層產生影響。
同時,我們發現此種預施應力效應所造成的影響會隨量子井層數的增加而減小。
在這四片樣品的光學特性比較中,可發現他們的發光波長雖然大致都位于500奈米,
但從穿透式電子顯微術之影像中,我們發現當預施應力阻障層越薄,
在發光二極體中隨著電流注入的增強而產生的波長藍移現象會變的越小
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