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本文標題："大多數聚合物電介質焊接分析質量檢測顯微鏡"
新聞來源：未知 發布時間：2019-3-1 4:01:55 本站主頁地址：http://www.pzfczx.com
頻率特性——聚合物電介質通常在電特性上表現出頻率依賴特性。舉
例來說，許多聚合物由于分散效應，在高頻率下介電常數有很大的衰減。
因此介 園電性能必須和應用所需頻率相匹配。
界面特性——電介質的界面對于設備的性能有很大的影響。在電介質
半導體界面的高陷阱密度會造成設備性能的顯著下降。另外，界面可能改
變其自身的形貌以及填充結構（例如，在底柵型結構中，半導體沉積在電
介質上面。因此，由于電介質會對半導體初始幾層的結構產生模板效應，
電介質對半導體堆積具有很強的影響）。
相對介電常數——通常來說，大多數聚合物電介質的相對介電常數在2
.5到4之間。最近的研究表明使用低介電常數的材料對于有機晶體管實現高
電子遷移率具有較好的效果，但是這種關系在其普遍性上仍有一些分歧。
使用低介電常數材料的一個缺點是需要使用十分薄的電介質層，使柵和溝
道材料達到最佳的耦合作用。由于在印刷過程達到這一要求很困難，這就
會在印刷晶體管中引發工作電壓降低的問題。
高k介質
如上所述，大部分聚合物電介質的相對介電常數范圍在2.5到4。為了
獲得低操作電壓，需要提高柵和溝道材料間的耦合作用。增加耦合作用的
簡單方法是增加半導體的介電常數（值得注意的是，近幾年的數據表明半
導體直接接觸高k介質會降低有機半導體的電子遷移率；然而，假如在半導
體和電介質問使用低k界面層，就有可能使用高k介質材料促進耦合作用。
然而這個問題依舊飽受爭論）。用于促進介電常數的一些技術在文獻中已
有報道。包括： 園
使用高k納米顆粒——類似于之前討論的納米顆粒導體，使用納米顆粒
印刷高k介質是可實現的。迄今為止，制作這樣的低泄漏的薄膜是很困難的
，岡為在這種薄膜會趨于形成類似于空隙、裂縫等大量的缺陷。
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