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本文標題："液體和氣體雜質源幾乎已完全取代了固體源"
新聞來源：未知 發布時間：2016-12-4 2:39:14 本站主頁地址：http://www.pzfczx.com
液體和氣體雜質源幾乎已完全取代了固體源
用高溫熱氧化方法生長二氧化硅薄膜時，由于使用了很高的溫度，
致使硅樣品特性發生變化，如硅一二氧化硅界面的雜質再分布、載
流子壽命的改變等，這些都是與高溫過程有關系。這是高溫熱氧化
方法的不足之處。
各種雜質的特殊解取決于雜質的擴散系數及其在半導體中的固溶度
。固溶度限定了表面摻雜的極限，或是某種雜質對硅片摻雜的最高
濃度，而擴散系數是指雜質擴散的速度。擴散速度較快的雜質可減
少擴散時間，不過，集成電路制造過程要求多個擴散工序，因此最
初的擴散工序必須用較慢的擴散雜質，以免這些雜質在以后操作中
產生再分布。
液體和氣體雜質源幾乎已完全取代了固體源，因為固態擴散的雜質
濃度主要是取決于固體的溫度，可控能力很差，雜質源溫度的微小
變化就會導致蒸汽壓力的大幅度變化，從而使攜帶氣體的雜質分量
產生難以控制的變化。先進的擴散方法是使用全氣體系統，這是控
制攜帶氣體中雜質濃度最有效的方法(特別是在低濃度值時)。
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