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本文標題："多晶薄膜可以通過熱處理晶粒生長獲得-金屬加工"
新聞來源：未知 發布時間：2016-9-28 12:28:05 本站主頁地址：http://www.pzfczx.com
多晶薄膜可以通過熱處理晶粒生長獲得-金屬加工
材料
類似基片，生長或沉積薄膜的形態可以是：
·單晶
·多晶
·非晶
在工藝過程中，單晶薄膜通常保持其單晶狀態，但可以通過離子轟
擊變為非晶態；多晶薄膜可以通過熱處理晶粒生長獲得；非晶態薄膜可
以保持其非晶態，或晶化轉變為多晶態，在很特殊的情況下可變為單晶
態。
單元素基片和單元素薄膜(如硅、鋁、銅和鎢)較簡單，它們具有廣
泛的應用。化合物引入了新的機遇和挑戰：氧化硅、氮化硅、氧化鉿、
硅化鈦、氮化鈦和氮化鋁(AIN)在沉積時不一定是理想配比，例如，氮
化鈦一般描述為TiN。，戈的值由薄膜沉積工藝決定。
另外，除了單元素和化合物材料，合金也被廣泛應用，用齜．1％s
i或A1—0．5％Si．2％Cu替代單元素鋁對金屬化的穩定性更有利(參見
第24章)。由不同大小原子組成的合金一般為非晶態薄膜，在一些應用
中，它可以在退火過程中防止結晶并保持非晶狀態。
薄膜沉積條件(例如雜質和工藝溫度)會強烈影響薄膜的性能，在低
溫下沉積的硅為非晶態，在中等溫度下為多晶態，在高溫和嚴格的條件
控制下為單晶態。微加工材料必須服從微圖形化技術，例如刻蝕和拋光
。有時薄膜需沉積在平坦的晶圓片上，但又經常需沉積在臺階和溝槽中
，溝槽的深度可以是寬度的40倍，這些將在薄膜沉積工藝中進行詳細描
述。
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