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本文標題："測定半導體材料痕量雜質的各種方法中技術的應用分析"
新聞來源：未知 發布時間：2015-12-13 17:27:01 本站主頁地址：http://www.pzfczx.com
測定半導體材料痕量雜質的各種方法中技術的應用分析
象其他半導體材料一樣，碳化硅中痕量雜質的極端靈敏分析方
法的需要主要是發展超提純法以及更好地了解雜質對材料電性的
影響，關于發展靈敏而又方便的痕量分析法。
在用作測定半導體材料痕量雜質的各種方法中，對低濃度范圍
有實際價值的工具僅僅是中子活化分析，質譜和以射光譜，中子
活化分析對于許多雜質元素是一種最靈敏的方法，已經很成功地
用作分析超純鍺和硅，這種技術除了可以達到高的靈敏度以外，
還有最重要的兩個優點是在分析過程中可避免污染和在十分低的
濃度范圍內可以達到高的精確度，一般地說來，這種方法是最適
用于0.001-1p.p.m濃度范圍，雖然這種技術在過去有著不可估計
的價值，但是由于有以下的三個局限性促使去發展高純半導體材
料的其他代替的分析方法。
第一、首先需要附近或有高熱中子通如核反應堆可以使用，第
二是在計數之前為了達到最大有效靈敏度需要以化學法分離每一
種放射元素，若要測定已知樣品中的許多雜質元素，則需要大量
的放射化學分離，而分析的時間可能要一星期或更長一些，最后
，象其他的分析技術一樣，此法對于某些元素的測定是無效的，
在中子活化分析法中，不利的核性質妨礙了以下元素的測定，鋰
、鈹、硼、碳、氮、氧、鎂、鋁、鈦、鋇和鈮，偏巧許多這些元
素，由于它們對半導體材料電性質的顯著影響，卻是十分重要的
。
質譜法在痕量分析中可以說是一種很有力的工具，但是很少應
用于半導體分析中，首先是由于儀器的價格非常昂貴，因此，提
出了其他許多更方便的方法。
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