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本文標題："金屬、陶瓷、元件等材料顯微結構尺寸測量"
新聞來源：未知 發布時間：2013-8-5 23:04:17 本站主頁地址：http://www.pzfczx.com
金屬、陶瓷、元件等材料顯微結構尺寸測量
近年來對金屬、陶瓷、半導體元件等材料之研究，可發現這些材料之薄膜特性，會受到其表
面或界面晶體結構的影響甚大。
在薄膜材料的性質上，系受到制程、顯微結構、結晶方向、厚度、
雜質以及界面等因素影響，
即使相同成份，所得到的性質也會有些差異。為了探討材料晶向結
構，以及其薄膜內應力分析，以得知金屬薄膜之特性，在本次實驗中，
將使用 X 光繞射儀量測晶向結構以以及 3D 表面輪廓儀來量測薄膜的內應力。
薄膜制作
使用硅晶圓(Silicon wafer)為P-type (100)的芯片，硅芯片經過化學機械單面拋光，其電阻率
介于5~10 Ω-cm，直徑為99.5 mm~100.5 mm，厚度則為500~550 μm。
將硅晶圓切割成2 cm × 2cm
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