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溫高低對低劑差排環的效應較小,溫區間間隔需較大才可看出有明顯變化。
由于單晶碳化矽含加工制造缺陷,無法提供空孔有之成核點,因此在所有條件下皆未發現空孔
的存在。差排環的型態,目前推是由格隙原子團聚,而造成之Frank 型多一排
原子之差排環。高分辨之電子顯微影像顯示某些區域極有可能符合以上推,但
在未超出影像范圍區域無法顯示完整差排環的端,因此此部分仍須努。未
研究將進高溫以及高劑之照射實驗,以解差排環是否會在6H 碳化矽
結構下演化為差排網或其他缺陷型態,并深入探討其機制
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