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本文標題："細微截面量測實驗儀器-測量型工具顯微鏡"
新聞來源：未知 發布時間：2013-7-21 0:36:23 本站主頁地址：http://www.pzfczx.com
細微截面量測實驗儀器-測量型工具顯微鏡
費米能級
利用光電子顯微術在微區探測半導體表面的電子結
構，同時以表面電位顯微儀為輔量測其費米能階的位置。我們的半導體材料主
要分為氮化鎵以及矽兩部分。
在氮化鎵方面，我們是利用分子束磊晶(MBE)在Si(111)的基板成長出厚各
約1.5 μm 的pn 接面，且在超高真空現場劈裂，利用波帶環片將光束聚焦到
70~100 nm 的大小以便于我們在微區非極性氮化鎵截面上量測其能帶結構。由
實驗結果證實此項創新的技術可直接從截面量測到平帶的電子結構情形。而在
表面電位的量測分析中我們得到了經曝大氣后表面均會受到影響而改變其電
性，因而具有表面能帶偏折以及費米能階釘扎的結果。
在矽方面我們采取離子布植的方式來形成pn 接面的結構，同樣也是在超高
真空現場劈裂量測Si(111)劈裂面的表面能帶結構，再藉由霍爾量測(Hall
measurement)得到的載子濃度計算其費米能階的位置。在 n 的部份我們已由霍
爾量測證實光電子顯微術可量測到平帶的結果。且在表面電位的量測上，在大
氣中劈裂樣品量測其截面仍是具有表面能帶偏折的現象。
由我們的實驗結果證實一般掃描電位顯微儀用來量測費米能階的位置常受
到外在因素的影響而無法準確得知，但藉由掃描式光電子顯微術，將光束聚焦
至幾百奈米等級的大小，可達到在微區量測干凈截面的實驗要求，而直接得到
本質費米能階的位置
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